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Titelaufnahme

    Titel
    Ein Charge-Sheet-Modell des Silicon-on-Insulator MOS-Transistors für die Schaltungssimulation / Hans Bernd Abel
    VerfasserAbel, Hans Bernd
    ErschienenDüsseldorf : VDI-Verl., 1994
    Ausgabe
    Als Ms. gedr.
    UmfangXI, 146 S. : graph. Darst.
    HochschulschriftZugl.: Duisburg, Univ., Diss., 1994
    Serie
    Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 187
    SchlagwörterSOI-Technik / MOS-FET / Grenzflächenpotenzial / Schaltungsentwurf / CAD / SOI-Technik / MOS-FET / Grenzflächenpotenzial / Schaltungsentwurf / SPICE <Programm>
    ISBN3-18-318709-4
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